[实用新型]扩散器框架无效
| 申请号： | 200520002794.1 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN2788350Y | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | R·蒂内;E·凯勒;栗田伸一;J·M·怀特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C14/22;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种扩散器框架，用于一沉积腔内的扩散器，该沉积腔在基材上进行沉积制程，该扩散器将制程气体扩散至该沉积腔内并在其周缘形成数个栓孔，其特征是具有：一呈矩形封闭外形的框架本体，具有至少1550公厘长及至少1350公厘宽的框架开口，该框架本体上在对应扩散器的栓孔处形成数个孔洞，且该框架表面经阳极电镀处理。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散器 框架 | ||
【主权项】：
1.一种扩散器框架，用于一沉积腔内的扩散器，该沉积腔在基材上进行沉积制程，该扩散器将制程气体扩散至该沉积腔内并在其周缘形成数个栓孔，其特征是具有：一呈矩形封闭外形的框架本体，具有至少1550公厘长及至少1350公厘宽的框架开口，该框架本体上在对应扩散器的栓孔处形成数个孔洞，且该框架本体系由表面经阳极电镀处理的铝金属制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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