[发明专利]铜箔上的碳酸钡的掺氧烧制无效
| 申请号： | 200510138152.9 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1848320A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | W·J·博兰 | 申请（专利权）人： | E·I·内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G13/00;H05K3/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造嵌入式电容器和印刷线路板的方法，所述方法包括：提供一金属箔；在金属箔上形成第一介电层；在第一介电层的至少一部分上形成导电层；控制受控的气氛的氧含量；在受控的气氛下、在烧制区中烧制第一介电层和导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 铜箔 碳酸钡 烧制 | ||
【主权项】：
1.一种制造电容器的方法，它包括：提供一金属箔；在所述金属箔上形成第一介电层；在所述第一介电层的至少一部分上形成导电层；控制受控气氛的氧含量；在所述受控气氛下，在烧制区中烧制所述第一介电层和导电层。
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