[发明专利]有机薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200510137344.8 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1848476A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 徐旼彻;具在本;安泽 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有一致特性的有机TFT和具有该有机TFT的平板显示器，其中有机TFT包括采用旋涂工艺形成的有机半导体层。该有机TFT的一个实施例包括：衬底，设置在衬底上的栅电极，覆盖该栅电极的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层，以及与有机半导体层接触的源电极和漏电极，其中多个突起部件形成于栅极绝缘膜上，且突起部件从源电极延伸向漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种有机薄膜晶体管(TFT)包括：衬底；设置在衬底上的栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层；和与有机半导体层相接触的源电极和漏电极，其中，多个突起形成于栅极绝缘膜上，且在从源电极延伸到漏电极的取向上排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510137344.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含有硅基或锡基阳极活性材料的二级锂电池
- 下一篇：数值控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
