[发明专利]具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 200510137100.X | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1825549A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 迪尔克·丹茨;安德烈亚斯·许贝尔;布里安·墨非;赖因霍尔德·沃里克 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/762;H01L21/84;C30B33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片，其包括位于其表面上的厚度为3纳米至200纳米且不含小洞缺陷的半导体层，以及位于所述半导体层之下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层。本发明还涉及热处理半导体晶片的方法，该半导体晶片具有半导体层以及位于其下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层，所述热处理是在750℃至1300℃的温度范围内且在惰性或还原性气氛中进行，所述气氛至少有时含有半导体材料的气态化合物，以使半导体材料在所述半导体层的表面上沉积，其特征在于，热处理之后的所述半导体层的厚度与热处理之前的所述半导体层的厚度基本上没有差别。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 及其 绝缘 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体晶片，其包括位于其表面上的厚度为3纳米至200纳米且不含小洞缺陷的半导体层，以及位于所述半导体层之下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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