[发明专利]制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器无效
| 申请号： | 200510136890.X | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1819155A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金京民;金东俊;李光云 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/822;H01L21/02;H01L21/00;H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种形成半导体器件的电容器的方法。在该方法中，电容器下电极淀积在半导体衬底上，且然后介电层淀积在该下电极上。介电阻挡层淀积在该介电层上部。该介电阻挡层包括用于防止介电层的漏电流特性降低的材料。该方法还包括在介电阻挡层上部淀积电容器上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于半导体器件的电容器的方法，包括：在半导体衬底上形成电容器下电极；在所述下电极上形成介电层；在所述介电层的上部形成介电阻挡层，所述介电阻挡层包括用于防止所述介电层的漏电流特性降低的材料；和在所述介电阻挡层的上部上形成电容器上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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