[发明专利]用于操作非易失性存储器件的页缓冲器的方法无效
申请号: | 200510136235.4 | 申请日: | 2005-12-23 |
公开(公告)号: | CN1832044A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 朱基锡 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/10;G06F12/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 用于操作非易失性存储器件的页缓冲器的方法减少了在锁存器之间传送数据时的错误,并缩短了回拷编程时间。使用在页缓冲器中包括的若干锁存电路中的一个来进行回拷编程。该方法在回拷编程操作中激活第一锁存电路而去激活第二锁存电路,并在编程、读取和验证操作中激活第一和第二锁存电路。 | ||
搜索关键词: | 用于 操作 非易失性存储器 缓冲器 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于操作非易失性存储器件中的页缓冲器的方法,所述非易失性存储器件包括:存储单元阵列,由布置在字线和位线的交叉点处的存储单元组成;多个页缓冲器,通过读出线连接到存储单元阵列,并且每个页缓冲器具有第一和第二锁存电路,该方法包括:在回拷编程操作期间,去激活每个页缓冲器中的第二锁存电路、而不是第一锁存电路;以及在编程、读取和验证操作期间,激活第一和第二锁存电路。
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