[发明专利]制造具有钨栅电极的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510136225.0 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1870231A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郑哲谟;赵挥元;金正根 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在此披露的是制造半导体器件的方法。该方法包括步骤：在半导体衬底上形成栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜；构图栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜以形成多晶硅栅极；在多晶硅栅极的侧面形成分隔体；在整个表面上形成牺牲氮化物膜；然后在整个表面上形成层间绝缘膜；抛光在层间绝缘膜上形成的牺牲氮化物膜及多晶硅栅极从而暴露氮化物膜；在去除氮化物膜时去除牺牲氮化物膜的顶部部分；在通过氮化物膜的去除而暴露的侧面形成绝缘膜分隔体；利用绝缘膜填充从其去除了牺牲氮化物膜的部分；以及在从其去除了氮化物膜的部分中形成钨栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 电极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有钨栅电极的半导体器件的方法，包括步骤：(a)在半导体衬底上形成栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜，构图所述栅极氧化膜、所述多晶硅膜和所述氮化物膜以形成多晶硅栅极；(b)在所述多晶硅栅极的侧面形成分隔体；(c)在整个表面上形成牺牲氮化物膜，然后在所述整个表面上形成层间绝缘膜；(d)抛光在所述层间绝缘膜和所述多晶硅栅极上形成的所述牺牲氮化物膜从而暴露所述氮化物膜；(e)在去除所述氮化物膜时去除所述牺牲氮化物膜的顶部部分；(f)在通过所述氮化物膜的去除而暴露的侧面形成绝缘膜分隔体，利用绝缘膜填充从其去除了所述牺牲氧化物膜的部分；以及(g)在从其去除了所述氮化物膜的部分中形成所述钨栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
