[发明专利]具有两种电阻材料层的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 200510136129.6 | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1815770A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郑镛洙;朴允童;柳寅儆;李明宰;徐顺爱;金惠英;安承彦;徐大卫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 材料 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
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