[发明专利]去除相移掩模上生长的杂质的方法无效
| 申请号： | 200510136114.X | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1797194A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 李俊植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种除去相移掩模上生长的杂质的方法。该方法通过在清洗之后进一步执行HF清洗和烘焙，有利地控制杂质生长，以使清洗过程中产生的残余化学离子的数量最小化。具体地，该方法包括，在石英衬底上形成包括相移膜和光阻挡膜的相移掩模图形，使用包含硫酸离子或铵离子的溶液清洗在石英衬底上形成的相移掩模图形，使用含水的HF溶液清洗已被清洗的相移掩模图形，以及烘焙利用含水的HF溶液清洗的相移掩模图形。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 相移 掩模上 生长 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种除去相移掩模上生长的杂质的方法，包括：在掩模衬底上形成包括相移膜和光阻挡膜的相移掩模图形；使用包含硫酸离子或铵离子的溶液清洗在所述掩模衬底上形成的相移掩模图形；使用含水的HF溶液清洗已被清洗的所述相移掩模图形；以及烘焙用所述含水的HF溶液清洗的所述相移掩模图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510136114.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光元件驱动装置
- 下一篇：感光性树脂组合物、显示面板用间隔物以及显示面板
