[发明专利]薄膜晶体管无效
| 申请号: | 200510135902.7 | 申请日: | 2005-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN1996618A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
| 发明(设计)人: | 赖志明;叶永辉;黄怡硕 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王永红 |
| 地址: | 台湾省新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种薄膜晶体管,适于设置在可挠曲性基板上,其包括栅极、栅绝缘层、通道层、第一导体图案,以及第二导体图案。栅极设置于可挠曲性基板上,而栅绝缘层设置于可挠曲性基板上,以覆盖栅极。通道层设置于栅绝缘层上,且位于栅极上方。通道层具有至少一个第一接触区以及多个第二接触区,且第一接触区位于第二接触区之间。此外,第一导体图案设置于部分栅绝缘层以及第一接触区上,而第二导体图案则设置部分栅绝缘层以及第二接触区上,且第一导体图案与第二导体图案彼此电绝缘。上述薄膜晶体管在误对准发生时仍能维持正常运行。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,适于设置在可挠曲性基板上,其特征是该薄膜晶体管包括:栅极,设置于该可挠曲性基板上;栅绝缘层,设置于该可挠曲性基板上,以覆盖该栅极;通道层,设置于该栅绝缘层上,其中该通道层位于该栅极上方,而该通道层具有至少一个第一接触区以及多个第二接触区,且该第一接触区位于上述这些第二接触区之间;第一导体图案,设置于部分该栅绝缘层以及该通道层的该第一接触区上;以及第二导体图案,设置部分该栅绝缘层以及该通道层的上述这些第二接触区上,其中该第一导体图案与该第二导体图案彼此电绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510135902.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用电子场发射阴极的X-射线发生机构
- 下一篇:终端装置
- 同类专利
- 专利分类





