[发明专利]片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法无效
申请号: | 200510135545.4 | 申请日: | 2005-12-30 |
公开(公告)号: | CN1794440A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 宋亦旭;赵雁南;杨泽红;王家钦;李世昌;贾培发;邓志东 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G01B11/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 1000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法,属于IC制造技术领域。硅片状态检测方法为:设置光强阈值I0、I1,实时检测任一传感器对的光强为IS1,若IS1=I0,则无硅片,当I0>IS1>I1则只有一个硅片,当IS1≤I1则有硅片重叠,若两个传感器发生遮光的时间不同则硅片处于倾斜状态;硅片圆心重定位方法为:当硅片边缘同时与两个传感器对的光场相切时,设此时传输机械手在X方向的位置为P0,在输片过程中,当硅片边缘与两个传感器对的光场相切时,此时传输手在X方向的位置为P1,若P1=P0,则硅片处于理想位置,若P1≠P0,两者之差即为传输手在X方向上应补偿的距离。本发明使用简便,硬件成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 片盒中 硅片 状态 检测 及其 圆心 定位 方法 | ||
【主权项】:
1、一种片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法,其特征在于:包括采用两组透射式光学测量元件同时实现在片盒中的硅片状态检测以及传输过程中的硅片重定位两部分;所说的透射式光学测量元件为由发出条状光带的发光元件和接收发光元件所发光强的接收元件组成的传感器对,其中发光元件发出条状光带;两个传感器对设置在片盒前后的透光部分,设定片盒升降方向为Z方向,两个传感器的光带沿Z方向处于同一区域且光路互不交叉,且正常摆放在槽中的硅片,在取送片时能够同时遮挡两个传感器对的光路;所述硅片状态检测方法为:设置光强阈值I0、I1,当升降台携带硅片盒下降时,实时检测任一传感器对的光强为IS1当硅片盒下降到测量位置时,若IS1=I0遮光量不变,则判定当前槽中无硅片,当I0>IS1>I1则可判定槽中只有一个硅片,当IS1≤I1则判定槽中有硅片重叠现象,若第一个传感器和第二个传感器发生遮光的时间不同则可判断硅片处于倾斜状态;所述硅片圆心重定位的方法为:设定沿片盒槽取送硅片的方向为X方向,片盒槽平面内与X方向垂直的为Y方向,对于理想的输片位置,当硅片边缘同时与两个传感器对的光场相切时,设此时传输机械手在X方向的位置为P0,在输片过程中,若硅片边缘与某一传感器对的光场相切,则传输机械手沿此光路轴向进行输片运动,直到硅片边缘与另一传感器对光路相切,此时传输手在X方向的位置为P1,若P1=P0,则硅片处于理想位置,若P1≠P0,则硅片存在圆心偏差,P1与P0之差即为传输手在X方向上应补偿的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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