[发明专利]记忆胞数组的操作方法、非挥发性内存及其制造方法有效
| 申请号： | 200510135171.6 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1832023A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 叶致锴 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C16/02;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种非挥发性内存数组的操作方法，包括透过测量选中记忆胞的体区域和选中记忆胞的连接区域之间的电流，读取一个具有电荷捕获结构串联起来的记忆胞数组。其中，电荷捕获结构的电荷储存态影响测量电流。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 数组 操作方法 挥发性 内存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以行和列形式排列的记忆胞数组的操作方法，各该记忆胞包含一体区域，一连接区域，一绝缘底层，一个电荷捕获结构，一绝缘顶层及一栅极，其中在一记忆胞行中一特定行内的该些记忆胞的该些连接区域被电性连接到成行的多数条位线中一特定位线，在一记忆胞列中一特定列内的该些记忆胞的该些绝缘顶层被电性连接到成列的多数条字符线中一特定字符线，此方法包括：施加第一偏压方式，以决定在至少一个被选中的记忆胞的该电荷捕获结构的一电荷储存态，其中该第一偏压方式施加一第一电压在连接该选中的记忆胞的该连接区域的一特定位在线，及施加一第二电压在电性连接到该选中的记忆胞的该绝缘顶层的一特定字符线；以及透过测量在该选中的记忆胞的该体区域和该特定位线之间的电流，以决定该选中的记忆胞的该电荷捕获结构的该电荷储存态。
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