[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200510135165.0 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1822348A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种制造图像传感器的方法，通过该方法，图像传感器的特性和产量是以防止金属垫与碱性显影溶液接触的方式来增强。本发明包括步骤：在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层，通过选择性地图案化氮化物层和金属层在垫区上形成金属垫，在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层，通过选择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口，在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层，在滤色器层之上形成微透镜，以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤：在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层；通过选择性地图案化氮化物层和金属层，在垫区上形成金属垫；在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层；通过选择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口；在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层；在滤色器层之上形成微透镜；以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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