[发明专利]固态成像装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510134139.6 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1812114A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木政胜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0288;H01L21/822;H01L31/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固态成像装置包括具有光电检测器部分(15)的半导体衬底(1)。光电检测器部分(15)包括形成在半导体衬底(1)中的p型第一杂质区(表面反型层)(6)和形成在表面反型层(6)下面的n型第二杂质区(光电转换区)(4)。通过将n型杂质引入到半导体衬底(1)中形成光电转换区(4)。通过将铟引入到形成光电转换区(4)的半导体衬底(1)的区域中形成表面反型层(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种固态成像装置，其包括具有光电检测器部分的半导体衬底，该光电检测器部分包括形成在所述半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在所述第一杂质区下面的n型第二杂质区，其中所述第一杂质区含有作为杂质的铟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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