[发明专利]一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高临界电流密度MgB₂基超导体及其制备方法。其特征在于该超导体为在MgB₂基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物。制备过程为首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末按比例充分混合1－2小时，将混合后的粉末成型，然后置于真空退火炉中，在纯氩气或氩气与氢气的混合气保护下，在740℃－760℃的温度下保温1－10小时，最后冷却至室温，制成高临界电流密度的MgB₂基超导体。采用碳和金属锆作为助烧剂，碳、锆及其化合物弥散分布在最终获得的MgB₂基超导体中，使最终形成的MgB₂晶粒细化，有效强化了MgB₂晶粒连接。本发明的方法制备成本低，同时引入了第二相粒子，有效改善了MgB₂基超导体的磁通钉扎。

主权项

1.一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该超导体为在MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物，该超导体的原子比组成为Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x，其中0.05≤x≤0.20。