[发明专利]一种MgB2超导体的制备方法有效
| 申请号： | 200510132721.9 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1794367A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 闫果;闫世成;王庆阳;冯勇;卢亚锋;李成山;纪平;吴怡芳;张平祥 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01B13/00;H01L39/24 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人： | 李迎春;王连发 |
| 地址： | 710016陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种MgB2超导体的制备方法，涉及一种分步反应制备MgB2超导体的方法。其特征在于首先将原子配比为 1∶4的镁和硼的混合粉末进行烧结，然后在烧结产物中添加适量金属镁粉，进行第二次烧结获得MgB2超导体。采用该方法制备的MgB2超导体表现出高致密度的特点，同时仍然保持高临界温度特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgb sub 超导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MgB2超导体的制备方法，其特征在于制备过程为：(1)将干燥的镁、硼粉末按照原子比Mg∶B＝1∶4的比例充分混合1-2小时，混合后的粉末压制成片或块；(2)将压制的片或块置于真空退火炉中，于室温下抽真空，然后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率加热，在650℃-1000℃的温度下保温1-10小时，最后以不低于25℃/分钟冷却速率将其冷却至室温；(3)将烧结得到的片或块进行破碎，然后向其中添加金属镁粉到镁和硼的原子配比为1∶2，再将混合后的粉末用压制成片或块；(4)将压制的片或块置于真空退火炉中，于室温下抽真空，然后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率加热，在不高于1000℃的温度下保温1-10小时，最后以下低于25℃/分钟冷却速率将其冷却至室温，制成MgB2超导体。
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