[发明专利]表面声波装置的制造方法及表面声波装置无效
| 申请号： | 200510132693.0 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1805275A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 矢岛有继;佐藤久克;小岛贵志 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 声波 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种表面声波装置的制造方法，是在半导体基板上至少具备IC区域与表面声波元件区域、将它们分别并列配置来构成为一个芯片的表面声波装置的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在上述半导体基板上的上述IC区域形成半导体元件层的工序，该半导体元件层具备半导体元件与覆盖上述半导体元件的元件绝缘膜；在上述半导体元件层上形成布线层的工序，该布线层通过将进行与上述半导体元件的连接的多个布线和使上述布线间绝缘的布线绝缘膜进行层叠而构成；在上述各工序中在上述表面声波元件区域将构成上述半导体元件层的上述元件绝缘膜与构成上述布线层的上述布线绝缘膜进行层叠；在上述IC区域及上述表面声波元件区域的布线绝缘膜上，形成表面已平坦化的层间绝缘膜的工序；在上述层间绝缘膜上形成压电薄膜的工序；以及在上述表面声波元件区域中的上述压电薄膜上形成表面声波元件的工序。
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