[发明专利]一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟有效
| 申请号： | 200510132576.4 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1992191A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 万关良;王喆;徐继平;张果虎;王敬;刘斌 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不能与棒槽的槽底相接触，下料位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。本发明优点：由于下料棒开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，杜绝了下料棒开槽槽底加工难，避免了光洁度达不到要求而引起的崩边问题，提高产品质量及合格率，其不合格率下降了一点几个百分点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 多晶 生长 工艺 石英 | ||
【主权项】：
1、一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，其特征在于：所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不能与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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