[发明专利]一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置有效
| 申请号： | 200510132574.5 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1990917A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 戴小林;吴志强;韩秋雨;姜舰;周旗钢;张果虎 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至爆炸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清除 直拉硅单晶炉内 sio 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法，其特征在于：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气。
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