[发明专利]金属－绝缘体－金属电容器无效
| 申请号： | 200510132219.8 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1988078A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 林哲歆;王庆钧;李隆盛 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01G4/10 | 分类号： | H01G4/10;H01G4/12;H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，包括下电极、上电极以及电容介质层。上电极位于下电极上，而电容介质层则位于上电极与下电极之间。其中，电容介质层包括多层TiO2层以及至少一层四方晶体结构材料层，而四方晶体结构材料层是位于两两TiO2层之间，且每一四方晶体结构材料层具有相同厚度或不同的厚度。借着上述穿插在TiO2层之间的四方晶体结构材料层可截断漏电路径，同时利用这些四方晶体结构材料层能够诱发TiO2产生高介电常数的金红石相(rutile phase)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘体-金属电容器，其特征是包括：下电极；上电极，位于该下电极上；以及电容介质层，位于该上电极与该下电极之间，其中该电容介质层包括：多层TiO2层；以及至少一层四方晶体结构材料层，位于上述这些TiO2层之间，且每一四方晶体结构材料层具有相同厚度。
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