[发明专利]高光提取效率LED电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200510132116.1 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1812146A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;朱彦旭;梁庭;达小丽;徐晨;郭霞;李秉臣;董立闽 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 效率 led 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、高光提取效率LED电极，其结构至少包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体(7)，多量子阱有源区MQW(6)，N型半导体5自上而下构成LED台；P电极欧姆接触层(8)位于LED台顶部的P型半导体(7)表面上；N电极(4)位于LED台底部的N型半导体(5)之上，与LED台的侧壁不相接触；其特征在于：在LED台的侧壁上有一透明绝缘层(11)；台上表面面积小于下表面面积；LED台的侧壁与竖直平面成锐角角度；金属高反镜(3)覆盖在P电极欧姆接触层(8)上，并延展覆盖在透明绝缘层(11)之上，包围LED台的顶部和侧壁，但不与N电极(4)接触；金属高反镜(3)、透明绝缘层(11)和LED台三者之间折射率大小排列为高低高。
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