[发明专利]CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法无效
| 申请号： | 200510132045.5 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1797780A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的微透镜的方法，消除了相邻微透镜的弯曲之间的变平间隙。多个滤色器层形成于半导体基板上，在所述半导体基板上形成光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连。在多个滤色器层上形成外敷层。在外敷层上形成微透镜。通过微透镜间的间隙所暴露的外敷层被蚀刻，以便在外敷层中的滤色器层之间的边界处形成间隙。执行流动工艺，使得微透镜的弯曲延伸到所述间隙。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 透镜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的微透镜结构，具有半导体基板和所述半导体基板上的光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连，所述微透镜结构包括：多个滤色器层，在所述半导体基板上；外敷图案，在所述多个滤色器层上形成；以及微透镜，在所述外敷图案上形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部亚南半导体株式会社，未经东部亚南半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510132045.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
