[发明专利]光刻设备、检偏片、组件、测量参数的方法和构图装置有效
| 申请号： | 200510131777.2 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1790170A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | T·F·森格斯;M·A·范德科霍夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;G01J1/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;梁永 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过投影辐射束来照射在投影系统(PL)和辐射传感器(DS)之间的检偏片(AP)。该检偏片包含2个交叉区域，其中每一个传输具有不同偏振方向的辐射。构图该投影辐射束而不影响该束的偏振。通过构图投影辐射束，使得一个区域接收比另一区域更多的辐射，辐射传感器(DS)被给予偏振选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 检偏片 组件 测量 参数 方法 构图 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光刻设备，其被安排使用投影系统(PL)来投影在其截面中具有来自构图装置(MA)的图形的辐射束，该光刻设备包括检偏片(AP)，该检偏片(AP)具有被安排成优先使在第一方向上偏振的辐射通过的第一区域(LNX、RNX)和被安排成优先使在第二方向上偏振的辐射通过的第二区域(LNY、RNY)，并且该光刻设备包括辐射传感器(DS)，其被安排来测量允许通过检偏片的第一和第二区域的辐射；该光刻设备在由辐射传感器进行测量期间能够选择由该图形照射的第一区域的面积和第二区域的面积，其特征在于：第二区域(LNY、RNY)与第一区域(LNX、RNX)交叉。
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