[发明专利]用于修复半导体存储器件的装置和方法无效
| 申请号： | 200510131540.4 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1815632A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郑昌永;黄泓善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C7/00;H01L21/8239;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于修复具有开放式位线读出放大器架构的半导体存储器件的装置和方法，单元阵列块具有由边子块、主子块、伪子块形成的存储器块。当通过使能三条字线而输出DQ数据时，可以使用直边块来处理行缺陷，使得在边子块或者伪子块中的存储器件的修复处理具有与缺陷发生在主子块的情况相同的修复有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 修复 半导体 存储 器件 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种当单元阵列块的三条字线基本被同时使能时、修复具有开放式位线架构的半导体存储器件的方法，所述方法包括：选择用于替换与所述三条字线之一耦合的缺陷存储单元的冗余单元；确定是否使能与所述缺陷存储单元耦合的字线；禁止与所述缺陷存储单元耦合的读出放大器；确定是否使能与由于所述冗余单元的替换而被重复选择的位线对应的存储单元的字线；禁止与所述重复选择的位线对应的存储单元的读出放大器；并且禁止所述冗余单元。
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