[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510131036.4 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1790747A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 小林信次 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其中在蚀刻形成沟槽(50)之际，在其内侧留下凸部(70)。在包括排列凸部(70)的沟槽(50)在内的半导体基板主面上，旋涂抗蚀剂(86)。在对应于该抗蚀剂(86)的沟槽(50)的部分上设置开口部，把该抗蚀剂(86)作为掩模，进行形成LDD区域的离子注入。从而在源极区域及漏极区域与被这些夹持的位置的栅电极下的沟道区域之间形成沟槽，向该沟槽的表面离子注入杂质、以形成LDD区域的晶体管中，消除离子注入的掩模抗蚀剂的膜厚在沟槽内的不均。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其中包含具备源极区域、漏极区域和沟道区域的晶体管结构，所述每一个区域配置在半导体基板的主面上，所述源极区域及漏极区域与沟道区域利用形成于它们之间并填充了绝缘物的沟槽来互相隔离，沿着所述沟槽的表面，形成了杂质浓度比所述源极区域和漏极区域还低的低浓度扩散区域，其特征在于，在所述沟槽的内侧配置至少一个岛状的凸部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510131036.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
