[发明专利]图象传感器以及形成有源像素传感器单元结构的方法无效
申请号: | 200510131016.7 | 申请日: | 2005-12-02 |
公开(公告)号: | CN1812138A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 阿兰·洛伊休;杰弗里·B·约翰逊;约翰·埃利斯-莫纳汉 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L27/146;H01L31/18;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种新型有源像素传感器(APS)单元结构及其制造方法。具体地,形成具有预掺杂转移栅极的图象传感器APS单元,其避免了由后续制造步骤引起的Vt的变化。根据本发明的优选实施例,图象传感器APS单元结构包括掺杂的p型钉扎层和n型掺杂栅极。另外提供一种形成具有预掺杂转移栅极和掺杂钉扎层的图象传感器APS单元的方法。预掺杂转移栅极防止部分栅极变成p型掺杂。 | ||
搜索关键词: | 图象 传感器 以及 形成 有源 像素 单元 结构 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图象传感器,包括:衬底,其包括第一导电类型的聚集阱、形成在所述聚集阱上的第二导电类型的钉扎层以及第二导电类型的扩散区;栅极电介质,其形成在所述衬底上;以及栅极导体,其形成在所述栅极电介质上,所述栅极导体包括具有第一浓度的第二导电类型掺杂剂材料的第一区、具有不同于所述第一浓度的第二浓度的所述第二导电类型掺杂剂材料的第二区。
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