[发明专利]图象传感器以及形成有源像素传感器单元结构的方法无效

专利信息
申请号: 200510131016.7 申请日: 2005-12-02
公开(公告)号: CN1812138A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 阿兰·洛伊休;杰弗里·B·约翰逊;约翰·埃利斯-莫纳汉 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L31/08 分类号: H01L31/08;H01L27/146;H01L31/18;H01L21/822
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种新型有源像素传感器(APS)单元结构及其制造方法。具体地,形成具有预掺杂转移栅极的图象传感器APS单元,其避免了由后续制造步骤引起的Vt的变化。根据本发明的优选实施例,图象传感器APS单元结构包括掺杂的p型钉扎层和n型掺杂栅极。另外提供一种形成具有预掺杂转移栅极和掺杂钉扎层的图象传感器APS单元的方法。预掺杂转移栅极防止部分栅极变成p型掺杂。
搜索关键词: 图象 传感器 以及 形成 有源 像素 单元 结构 方法
【主权项】:
1、一种图象传感器,包括:衬底,其包括第一导电类型的聚集阱、形成在所述聚集阱上的第二导电类型的钉扎层以及第二导电类型的扩散区;栅极电介质,其形成在所述衬底上;以及栅极导体,其形成在所述栅极电介质上,所述栅极导体包括具有第一浓度的第二导电类型掺杂剂材料的第一区、具有不同于所述第一浓度的第二浓度的所述第二导电类型掺杂剂材料的第二区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510131016.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top