[发明专利]一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法无效
| 申请号： | 200510130794.4 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1807666A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 张波萍;李敬锋;赵立东;刘静 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;清华大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C29/00;B22F9/04;B22F3/105 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料，通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末，再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括：配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于：工艺简便，合成化合物时间短，烧结温度低、时间短，可获得细小、均匀的组织，能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 sic bi sub te 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法，其特征在于：以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料，通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末，再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。
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