[发明专利]探测半导体能带结构高阶临界点的新方法无效
| 申请号： | 200510130769.6 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1995980A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 谭平恒;徐仲英;罗向东;葛惟昆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/64;G01N21/65 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种探测半导体材料能带结构高阶临界点的新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底材料上生长半绝缘的半导体材料或在样品生长过程中对半导体材料进行等电子掺杂，形成半绝缘的三元合金材料；步骤2：利用显微荧光光谱仪测试等电子掺杂后的半导体材料的低温显微光致发光谱；步骤3：利用不同波长对半导体材料不同的穿透深度这一物理性质来消除来源于衬底的光谱信号对外延层等电子掺杂半导体材料光谱信号的影响；步骤4：在显微光致发光光谱的基础上，结合变激发光波长和变激发光强度和共振拉曼散射手段，确定半导体材料的高阶临界点。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 半导体 能带 结构 临界点 新方法 | ||
【主权项】：
1.一种探测半导体材料能带结构高阶临界点的新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底材料上生长半绝缘的半导体材料，或者在样品生长过程中对半导体材料进行等电子掺杂，形成半绝缘的二元或三元合金材料；步骤2：利用显微荧光光谱仪测试等电子掺杂后的半导体材料的低温显微光致发光谱；步骤3：利用不同波长对半导体材料不同的穿透深度这一物理性质来消除来源于衬底的光谱信号对外延层等电子掺杂半导体材料光谱信号的影响，同时，利用各临界点光谱不同的激发光波长依赖关系对它们进行进一步的指认；步骤4：在显微光致发光光谱的基础上，结合变激发光波长和变激发光强度和共振拉曼散射手段，确定半导体材料的高阶临界点。
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