[发明专利]一种用于光伏电池的Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜

摘要

一种用于光伏电池的II－VI族半导体薄膜制备技术，利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu₂S薄膜；CdS－ZnS、CdS－CdTe复合薄膜；CuInS₂薄膜和Au/n－In₂S₃/p－CuInS₂/SnO₂/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法，制备出各种可以应用于光伏电池的II－VI族半导体薄膜，和Au/n－In₂S₃/p－CuInS₂/SnO₂/glass光伏电池，较大幅度的降低了光伏电池的制备成本，为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。

主权项

1、一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜的制备方法，采用水热晶化法，以玻璃为衬底，加入0.005-0.05M的锌盐或铜盐的水溶液和硫源，其中锌盐或铜盐与硫源的摩尔比为1∶3～1∶15，密封后于100-200℃反应3-24小时，得到沉积于衬底上的ZnS或Cu2S薄膜；或者以ZnS为晶种，加入0.005-0.05M镉盐和硫源的水溶液作为前驱体，其中锌盐或铜盐与硫源的摩尔比为1∶3～1∶15，密封后于100-200℃反应3～24小时，得到CdS-ZnS复合薄膜；或者以电化学沉积方法制备的CdTe薄膜为晶种，加入0.005-0.05M镉盐和硫源的水溶液作为前驱体，其中锌盐或铜盐与硫源的摩尔比为1∶3～1∶15，密封后于100-200℃反应3～24小时，得到CdS-CdTe复合薄膜；或者以玻璃为衬底，加入铜盐和铟盐与硫源的水溶液作为前驱体，其中铜盐和铟盐的浓度分别为0.005-0.05M，铜盐和铟盐与硫源的摩尔比为1∶3～1∶15，置于100℃～200℃温度的烘箱中反应3～24小时，得到CuInS2 薄膜。