[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

摘要

本发明公开了一种非挥发性存储器单元，其包括基底、导体层、电荷储存层、第一掺杂区、二个第二掺杂区、第一导线及第二导线。基底中具有沟槽，而导体层配置于基底中并填满沟槽。电荷储存层配置于导体层与基底之间。第一掺杂区，配置于沟槽下方的基底中，而二个第二掺杂区分别配置于沟槽两侧的基底中。第一导线及第二导线，配置于基底上，分别电连接于二个第二掺杂区，且第一导线与第二导线为平行排列。

主权项

1、一种非挥发性存储器单元，包括：一基底，该基底中具有一沟槽；一导体层，配置于该沟槽中，并于该沟槽方向延伸；一电荷储存层，配置于该导体层与该基底之间；一第一掺杂区，配置于该沟槽下方的该沟槽中；二第二掺杂区，分别配置于该沟槽两侧的该基底中；以及一第一导线及一第二导线，平行配置于该基底上，分别电连接于二第二掺杂区之一，且第一导线与该第二导线以与该导体层相交的方向延伸。