[发明专利]多层构造半导体微型组件及制造方法有效

专利信息
申请号: 200510129533.0 申请日: 2005-12-06
公开(公告)号: CN1812088A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 川端毅;佐藤元昭;福田敏行;津田俊雄;登一博;中谷诚一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/498;H01L23/50;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的,粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件,树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。
搜索关键词: 多层 构造 半导体 微型 组件 制造 方法
【主权项】:
1.一种多层构造半导体微型组件,其特征为:将具有第1埋入导体及上表面上组装了半导体芯片的树脂衬底,和形成了为收纳上述半导体芯片的开口部及具有与上述第1埋入导体电连接的第2埋入导体的薄膜部件交替叠层而成,上述树脂衬底及上述薄膜部件为复数层,上述树脂衬底中设置在最下层的树脂衬底,比其他的上述树脂衬底厚。
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