[发明专利]多层构造半导体微型组件及制造方法有效
申请号: | 200510129533.0 | 申请日: | 2005-12-06 |
公开(公告)号: | CN1812088A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 川端毅;佐藤元昭;福田敏行;津田俊雄;登一博;中谷诚一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/498;H01L23/50;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的,粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件,树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。 | ||
搜索关键词: | 多层 构造 半导体 微型 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多层构造半导体微型组件,其特征为:将具有第1埋入导体及上表面上组装了半导体芯片的树脂衬底,和形成了为收纳上述半导体芯片的开口部及具有与上述第1埋入导体电连接的第2埋入导体的薄膜部件交替叠层而成,上述树脂衬底及上述薄膜部件为复数层,上述树脂衬底中设置在最下层的树脂衬底,比其他的上述树脂衬底厚。
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