[发明专利]具有纹理结构的半导体发光装置及其制备方法有效
| 申请号： | 200510129422.X | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1812144A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李庭旭;成演准;白好善 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有纹理结构的半导体发光二极管以及制备该半导体发光二极管的方法，半导体发光二极管具有能够提高光提取效率和减少半导体发光二极管的晶体缺陷的纹理结构。该半导体发光二极管包括：形成为纹理结构的第一半导体层；形成在图案化的第一半导体层的纹理结构之间的中间层；以及在第一半导体层和中间层上依序形成的第二半导体层、有源层和第三半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纹理 结构 半导体 发光 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括一衬底的半导体发光二极管，包括：形成为纹理结构的第一半导体层；形成在所述第一半导体层的纹理结构之间的中间层；以及在所述第一半导体层和中间层上依序形成的第二半导体层、有源层和第三半导体层。
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