[发明专利]绝缘衬底和半导体器件有效
| 申请号： | 200510128716.0 | 申请日： | 2005-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1783473A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 冈本健次 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种绝缘衬底设有：作为基底构件的金属基底；用气溶胶淀积法形成在金属基底上的室温冲击固化膜；和用冷喷涂法形成在绝缘层上的热喷涂涂层的电路图案。一种半导体器件包含这种绝缘衬底，从而提高了热辐射特性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘衬底，包括：作为基底构件的金属基底；绝缘层，其为形成在所述金属基底上的室温冲击固化膜；以及电路图案，其为形成在所述绝缘层上的热喷涂涂层。
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