[发明专利]液晶显示器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510127729.6 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1782838A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 安炳喆 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可以简化制造工序并提高孔径比的液晶显示器件及其制造方法，该方法包括：形成包括栅线、栅极和公共线的第一掩模图案组；在所述栅绝缘膜上利用第二掩模形成包括半导体图案和具有数据线、源极和漏极的源/漏图案的第二掩模图案组；利用第三掩模形成包括在所述像素孔中与所述保护膜接触以连接到所述漏极的像素电极的第三掩模图案组，从而所述像素电极与所述公共电极形成水平电场。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示器件，包括：位于基板上具有双层结构的栅线，所述双层结构具有第一透明导电层和第二不透明导电层；与所述栅线交叉且其间具有栅绝缘膜以限定像素区的数据线；薄膜晶体管，包括连接到栅线的栅极，连接到数据线的源极，与源极相对的漏极，以及用于限定所述源极和漏极之间沟道的半导体图案；位于基板上具有双导电层结构且与所述栅线平行的公共线；在所述像素区中由所述公共线的第一导电层的延伸提供的公共电极；在所述薄膜晶体管和所述数据线上的保护膜；以及在贯穿所述保护膜的像素孔中的像素电极，所述像素电极与所述保护膜接触且连接到所述漏极，所述像素电极与所述公共电极一起形成水平电场。
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