[发明专利]半导体装置无效

申请号：	200510127225.4	申请日：	2005-11-25
公开（公告）号：	CN1783491A	公开（公告）日：	2006-06-07
发明（设计）人：	入野仁	申请（专利权）人：	恩益禧电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L27/088;H01L23/60
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	陆锦华;樊卫民
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种半导体装置，使接受信号的电路侧的ESD抗性进一步提高。反相器电路(INV1)为了电源供给而与接地布线(GND1)连接，通过PMOS晶体管(MP5)而与电源布线(VDD1)连接。反相器电路(INV2)为了电源供给而与接地布线(GND2)和电源布线(VDD2)连接，输入节点与反相器电路(INV1)的输出节点连接。还有，接地布线(GND1)和接地布线(GND2)通过保护元件(PE0)而连接。在正常动作时，反相器电路(INV3)的输出为H电平，反相器电路(INV4)的输出为L电平，PMOS晶体管(MP5)导通。在施加ESD时，电源布线(VDD2)悬浮，反相器电路(INV4)的输出为H电平，PMOS晶体管(MP5)截止，与施加ESD伴随的电流不会流入反相器电路(INV2)中。
搜索关键词：	半导体装置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种半导体装置，其特征在于具有：检测出冲击进入了从外部供给的电源的布线中这一情况，在到内部电路去的电源供给路径和从所述内部电路出来的信号输出路径之间进行阻断的电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510127225.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。

专利分类

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

专利文献下载