[发明专利]进行双面工艺的方法无效
| 申请号： | 200510126925.1 | 申请日： | 2005-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1975982A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨辰雄 | 申请（专利权）人： | 探微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种进行双面工艺的方法。首先，提供一晶片，且该晶片的正面包含有一结构图案。接着在该结构图案上界定多条正面切割道，再在该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶片接合，并在该晶片的背面界定多条背面切割道。最后移除所述正面切割道内的填充层。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 双面 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种进行双面工艺的方法，包含有：提供一晶片，且所述晶片的正面包含有一结构图案；在所述结构图案上界定多条正面切割道；在所述正面切割道内填入一填充层；利用一黏着层将所述结构图案与一承载晶片接合；在所述晶片的背面界定多条背面切割道；以及移除所述正面切割道内的所述填充层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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