[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 200510126871.9 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1787187A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 中田义弘;尾崎史朗;矢野映 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。由于将电子束等通过更致密的第二绝缘膜40施加至该第一多孔绝缘膜38，从而能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。由于能够保持该第一多孔绝缘膜38不被损坏，因而能够防止吸水性和密度增加，进而能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一多孔绝缘膜；在该第一多孔绝缘膜上方形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜的密度大于该第一多孔绝缘膜的密度；以及利用该第一多孔绝缘膜上存在的该第二绝缘膜，将电子束、UV射线或者等离子体施加于该第一多孔绝缘膜，以固化该第一多孔绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
