[发明专利]只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置有效
| 申请号： | 200510126865.3 | 申请日： | 2001-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1805050A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 中村宽;今宫贤一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储装置具备：把存储器单元排列成矩阵的存储器单元阵列；在选择上述存储器单元阵列的字线的同时，向字线传送电压的行译码器电路。上述行译码器电路具备：第1导电类型的多个第1晶体管，其电流通路的一端被分别直接连接在各条字线上；第2导电类型的第2晶体管，和第1导电类型极性相反，在向选择出的字线传送电压的动作时，向被连接在选择出的字线上的上述第1晶体管的栅极传送电压。向上述选择出的字线的电压传送只用第1导电类型的第1晶体管进行。 | ||
| 搜索关键词： | 只用 沟道 晶体管 选字线 传送 电压 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：把存储器单元排列成矩阵的存储器单元阵列，以及在选择上述存储器单元阵列的字线的同时向字线传送电压的行译码器电路，其特征在于：上述行译码器电路包括：第1导电类型的多个第1晶体管，其电流通路的一端分别被直接连接在各条字线上；以及和第1导电类型极性相反的第2导电类型的第2晶体管，在进行向选择出的字线传送电压的动作时，向被连接在选择出的字线上的上述第1晶体管的栅极传送电压；其中，向所述选择出的字线的电压传送只用第1导电类型的第1晶体管进行，所述行译码器电路还包括向上述第1晶体管的栅极施加电压的第一电压切换电路，上述第2晶体管被设置在上述电压切换电路内，在进行向上述选择出的字线传送电压的动作时，把比选择出的字线的电压还高的电压输入到上述电压切换电路中，经由上述第2晶体管传送到被连接在选择出的字线上的上述第1晶体管的栅极。
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