[发明专利]在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法有效
| 申请号： | 200510126830.X | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797718A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 哥浅·雷纳多;巴赫曼·詹氏;艾伏伦·狄尔克;卡雷·屋伏;林忠信;林文斌;多瑙鹄·李 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在半导体基底的金属结构体表面去除由聚合光致抗蚀剂与金属氧化物所构成的残余物(residue)的方法，包括下列步骤：(a)于含有氮气分子的环境下对具有该金属结构体的该半导体基底进行加热；(b)于含有氮气分子的环境下对该半导体基底进行一稳定化(stabilization)步骤；(c)利用一等离子体对该半导体基底进行一钝化(passivation)步骤，该等离子体包括水、氮气或氧气所组成的群组；以及(d)进行一包含氧气的剥离(stripping)步骤来移除该残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 金属结构 表面 去除 残余物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基底的金属结构体表面去除由聚合光致抗蚀剂与金属氧化物所构成的残余物的方法，包括下列步骤：(a)于含有氮气分子的环境下对具有该金属结构体的该半导体基底进行加热；(b)于含有氮气分子的环境下对该半导体基底进行一稳定化步骤；(c)利用一等离子体对该半导体基底进行一钝化步骤，该等离子体包括水气、氮气或氧气所组成的群组；以及(d)进行一包含氧气的剥离步骤来移除该残余物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
