[发明专利]一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺有效
| 申请号： | 200510126458.2 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1847458A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 白志民 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王常风 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺，该工艺包括点火步和清洗步，其中工艺气体为单纯的O2，它对阳极氧化的腔室表面没有任何伤害，同时又可以保证腔室的工艺条件对于每一片进来的晶圆都是相同的。该工艺既能够维持工艺的稳定性，又降低了颗粒的产生，延长了零件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 刻蚀 中的 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺，包括以下步骤：点火步和清洗步，其特征在于所用工艺气体为O2。
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