[发明专利]一种在晶片刻蚀工艺中控制关键尺寸偏差的方法有效
| 申请号： | 200510126450.6 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1848388A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 陈卓 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66;H01L21/00;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王常风 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在晶片刻蚀工艺中控制关键尺寸偏差的方法，本发明建立一个包含晶片CD(criticaldemension，关键尺寸)偏差均匀性与静电卡盘内外圈温度的对应关系的数据表，该方法整合在线测量CD偏差的工具，将其应用在控制静电卡盘的内外圈温度中，并实时反馈CD偏差，实时测量刻蚀前后的CD偏差均匀性，通过对比该数据表的对应的静电卡盘内外圈温度，对下静电卡盘内外圈温度进行调节，使其CD偏差的均匀性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 刻蚀 工艺 控制 关键 尺寸 偏差 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在晶片刻蚀工艺中控制工艺关键尺寸偏差的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：通过试验测试，建立包含晶片CD(critical demension，关键尺寸)偏差均匀性与静电卡盘内外圈温度的对应关系的数据表，该对应关系是指数值不理想的晶片CD偏差均匀性与可使之变为理想状态的静电卡盘的内外圈温度的数据对应关系；实际工艺过程中，首先，由光学关键尺寸测量工具测得一片晶片的CD偏差均匀性，若该CD偏差均匀性的数值不理想，则调整当前的静电卡盘内外圈温度至所述数据表中对应的静电卡盘内外圈温度值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
