[发明专利]一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法有效
| 申请号: | 200510126441.7 | 申请日: | 2005-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN1848373A | 公开(公告)日: | 2006-10-18 |
| 发明(设计)人: | 崔琳 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;G01M19/00;G01C11/00;G05B19/048;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王常风 |
| 地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及晶片刻蚀领域,本发明提供了一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法,通过对当前工艺的数据与标准工艺数据绘制曲线,利用刻蚀系统的先进工艺控制(APC)软件对待检测数据曲线图进行反色、45度角投影等处理得到直方图,通过分析比较待检测数据的直方图与标准曲线工艺直方图的灰度相似性,来对故障进行判断,通过对曲线图的延长线交叉点数量的判断来判断故障点位置,由于采用以上检测方法,与已有技术相比,极大地提高了晶片刻蚀机的自动化性能,进而提高了晶片刻蚀机的效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 刻蚀 工艺 中的 故障 检测 方法 | ||
【主权项】:
1、一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:(1)附加传感器采集到的待检测数据的数据值,刻蚀系统的先进工艺控制(APC)软件以时间为横轴线,以待检测数据的数据值为纵轴线,按时序绘制出待检测数据曲线;(2)在步骤(1)得到的曲线上选取若干待检测数据检测点,记录下这些检测点在纵轴线上的对应点;(3)在步骤(1)中的二维坐标系中,将横轴线改为待检测数据的数据值,记录下与步骤(2)中待检测数据检测点时间一一对应的标准工艺的数据值在横轴线上的对应点;(4)将步骤(2)与步骤(3)中的对应点连接,得到当前待检测曲线的二维图像;(5)将步骤(4)中的图像反色,并绘制其45度角直方图,得到待检测直方图;(6)以标准工艺数据替换步骤(1)中的待检测数据,重复步骤(1)~(5)得到标准直方图;(7)分析待检测直方图和标准直方图之间的灰度相似性是否小于预设标准值;若是,则认为没有故障;若否,则认为存在故障;
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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