[发明专利]双区喷嘴无效
| 申请号： | 200510126393.1 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1850346A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 林盛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B05B1/02 | 分类号： | B05B1/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡世英 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体刻蚀工艺中的喷嘴。本发明为双区喷嘴，包括喷嘴主体，其中所述喷嘴主体内设有中心通孔和与该中心通孔同轴布置的环形孔，所述喷嘴主体上设有中心通孔的中心孔入口和环形孔入口。本发明的有益效果是：本发明中，由于具有两个独立的气体通道，气体的流量可以分别控制，即可以通过减小中心通孔内的气体流量，相应增加环形孔内气体流量的办法平衡进入到反应室内中央和外围的气体流量，使反应室内气体更容易实现均匀，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，本发明也能很好地控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 | ||
【主权项】：
1.双区喷嘴，包括喷嘴主体(1)，其特征在于所述喷嘴主体(1)内设有中心通孔(2)和与该中心通孔(2)同轴布置的环形孔(3)，所述喷嘴主体(1)上设有中心通孔(2)的中心孔入口(4)和环形孔入口(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510126393.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于工业机械的液压控制装置
- 下一篇：非水性组合物和热敏记录材料
