[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，现有的单片双型MOSFET由于构成使漏极区域共通的两个MOSFET的芯片并列的结构，故漏极区域的电阻值高，装置的导通电阻的降低有限。本发明的半导体装置，将第一源极电极连接的第一MOS晶体管和第二源极电极连接的第二MOS晶体管在一个芯片上相邻交替地配置。在第一源极电极及第二源极电极上分别施加不同的电位，两MOS晶体管通过一个栅极端子进行开关控制。由于电流沿槽周围流动，故可降低导通电阻。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具有：构成漏极区域的半导体衬底；设于所述漏极区域，且由施加于一个栅极端子上的控制信号控制的多个MOS晶体管，相邻的两个所述MOS晶体管分别与施加不同的电位的两个源极端子连接。