[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200510125334.2 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1776899A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体芯片(100)包括逻辑单元和模拟单元(153)。而且，该半导体芯片(100)包括硅衬底(101)；在硅衬底(101)上形成的第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)；以及由在第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)中掩埋的第一导电环(125)至第六导电环(145)构成的环形密封环(105)，环形密封环(105)包围逻辑单元和模拟单元(153)的周边。在密封环区(106)中，形成用作非导电部件(104)的pn结，其阻挡从逻辑单元通过密封环(105)到模拟单元(153)的路径中的导电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有第一和第二器件区的半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成的绝缘中间层，以及由所述绝缘中间层中掩埋的导电膜构成并包围所述第一器件区的周边的环形保护环，其中在保护环形成区中形成非导电部件，非导电部件阻挡从所述第一器件区通过所述保护环至所述第二器件区的路径中的导电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510125334.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有主动悬浮的磁流体加速度计
- 下一篇：记忆卡封装结构与此结构的封装方法
