[发明专利]半导体晶片及其检查方法无效
| 申请号： | 200510125011.3 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1776898A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 高桥昌男;中田义朗;三村忠昭;阪下俊彦;福田敏行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端与导通部电极端，检测部电极端设置间隔并包围导通部电极端的周围且构成一部分被开放的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 检查 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于，在晶片上形成多个半导体元件与位置对准图形，所述位置对准图形由形成在所述晶片上的下层绝缘层、导体层以及上层绝缘层构成，检测部电极端与导通部电极端形成在所述导体层上，所述检测部电极端与所述导通部电极端通过导通手段导通，所述上层绝缘层具有检测部开口与导通部开口，所述导通部开口中露出所述导通部电极端，所述检测部开口中所述检测部电极端沿所述检测部开口的开口边缘部分地露出，同时所述下层绝缘层露出于除去所述检测部电极端以外的区域中。
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