[发明专利]改进的ESD结构

摘要

一种IGFET，它通过从开口和位错的相邻的边缘处转换(displacing)源极和漏极区的侧边，把在器件区边缘处的位错影响减至最小。这使源极和漏极杂质的横向扩散和进入位错区的金属硅化物的形成减至最小。从开口和位错区的邻近边缘的源极和漏极区侧边的间隙是通过提供从氧化层延伸至衬底区的邻近区中附加的横向对置的第二栅极区，或氧化阻挡层，和在其间延伸的第一栅极区产生的。第一栅极区和两个第二栅极区，或阻挡层，都被用于源极和漏极区的自对准加工中。第一栅极区限定沟道的长度，而两个对置的第二栅极区，即阻挡层，限定沟道区的宽度。把第二栅极部件，或阻挡层，充分地延伸至衬底区中，以使沟道宽度与在氧化物中开口的相邻的边缘隔开。

主权项

1.一种集成电路，它包括：衬底；氧化层，它延伸到所述衬底中并具有朝着所述衬底表面区域的开口；在所述衬底区域中形成的器件；所述器件之一是绝缘栅场效应晶体管，它所具有的源极区和漏极区在所述衬底区域之一中被隔开，并与所述晶体管的栅极自对准；所述栅极包括在所述源极区和漏极区之间延伸到所述衬底区域之上并限定所述晶体管沟道区长度的第一部分，以及从所述氧化层延伸至所述衬底区域的邻近边缘上并限定所述沟道区宽度的第二部分。