[发明专利]反射光掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 200510124778.4 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1797192A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 金锡必;宋利宪;金元柱;张丞爀;金勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种反射光掩模，允许在光刻中将用于吸收EUV射线的吸收剂图形的设计形状正确转移到硅晶片，所述光掩模包括：衬底，由反射EUV射线的材料构成、形成在衬底上的反射层，以及通过使用离子注入注入吸收EUV射线的吸收剂的离子形成在反射层上的具有预定图形的离子区段。本发明还提供一种制造反射光掩模的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 反射光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反射光掩模，包括：衬底；由反射远紫外射线的材料构成、形成在所述衬底上的反射层；以及通过使用离子注入注入吸收远紫外射线的吸收剂的离子在所述反射层上形成的具有预定图形的离子区段。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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