[发明专利]采用非晶材料作为参考与自由层的磁隧道结有效
| 申请号： | 200510124607.1 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1801331A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 斯图亚特·P·帕金 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11C11/15;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁隧道结，由一个MgO或Mg－ZnO隧道势垒层以及与该隧道势垒层的两侧分别紧邻的非晶磁性层构成。该非晶磁性层优选地包括Co以及至少一种添加元素，选择该添加元素例如硼以使该层非晶化。由该非晶磁性层和隧道势垒层形成的磁隧道结具有高至200％或更高的隧穿磁电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 材料 作为 参考 自由 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：一个第一非晶磁性层，其包括从由铁磁材料和亚铁磁材料构成的组成选出的材料；一个第二非晶磁性层，其包括从由铁磁材料和亚铁磁材料构成的组成选出的材料；至少一个隧道势垒层，其从由MgO和Mg-ZnO构成的隧道势垒层组中选出，其中该隧道势垒层位于该第一非晶磁性层与该第二非晶磁性层之间；以及一个反铁磁层，其交换偏置该第二非晶磁性层，其中该第一非晶磁性层、第二非晶磁性层和该隧道势垒层彼此紧邻，由此使自旋极化电流在该第一与第二非晶磁性层之间穿过该隧道势垒层而通过。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510124607.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
