[发明专利]包含掺杂了的纳米元件的装置及其形成方法有效
| 申请号： | 200510123516.6 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1790643A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | D·V·塔拉宾;C·B·穆拉伊;C·R·卡甘;C·T·布莱克;A·阿夫扎利－阿尔达卡尼;R·L·斯丹斯特罗姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/24;H01L21/228;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了含有已掺杂的半导体纳米元件的装置和形成这种装置的方法。纳米元件是通过对有机含胺掺杂剂暴露而掺杂的纳米管、纳米线或纳米晶体膜之一。对具有含硒化铅纳米线或纳米晶体膜的通道的场效应晶体管及形成这些装置的方法给出了说明性实例。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 掺杂 纳米 元件 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、形成FET的方法，其中包括：(a)在基底上提供门；(b)在门上形成门绝缘体；(c)在门绝缘体的第一部分上形成源极；(d)在门绝缘体的第二部分上形成漏极；(e)在源极和漏极之间提供通道，该通道包含选自纳米晶体膜、纳米管和纳米线之一的半导体纳米元件；(f)将所述半导体纳米元件的至少一部分对选自肼，单-、二-、三-或四-三甲基甲硅烷基肼，肼衍生物，偶氮双环十一烷和聚苯胺的掺杂剂暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510123516.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
